晶体式多级串联的方法，需求解决环流问题，并且效率低，在工业出产过程中，耗费太大；功率晶体模组变频方法反响慢，功率有限，作业电压低，耐压在600V左右，输出采用PAM滤波方法（为单方波加低次滤波），输出波形失真较大。这两种方法制造的电源产品功率仍旧不能满意日益增长的需求，所以大功率的负载需求变频测验时，多采用电机后拖动发电机的方法（M+G）来满意。

电机后拖动发电机的方法（M+G）在运用过程中，存在磨损，以及效率转化问题。后来参考美国技能，采用SCR来做逆变器，该方法制造的电源，功率大，能满意客户运用，比较好的用于替代电机后拖动发电机的方法（M+G），可是该系列的产品有一个较大的缺陷，机器在转化的过程中，噪音非常大，达到70dB<1m定制电源

跟着半导体技能的发展，在80年代末，富士出产出了代的IGBT，该电子器件的特性集成了GTR及MOSFET的长处，开关速度快，通流能力强，故很快就被应用到逆变范畴。跟着实力强大的三菱、西门康、英飞凌等厂家在IGBT范畴的参加，使得IGBT的发展速度日新月异，更新换代的速度加速，IGBT的开关速度及通流能力得到进一步的加强，这样，就使得大功率的变频电源的制造得以实现。

变频变压电源、变压稳压电源等一切电源产品都应该远离火源及高温，以防温度过高。

防止油雾、盐分对变频电源的腐蚀。

请将变频电源置于通风良好的当地，其周围至少离其他物体30公分以坚持进风孔通风。

变频电源的正常工作环境为温度0℃～40℃，湿度0～90（非凝结状态）

避免将变频电源置于含有腐蚀气体与振动、磁场搅扰的当地。

避免将变频电源放置在阳光直射，雨淋或湿润之地。

请勿将60HZ电源、400HZ电源以及其他各种电源产品置于不平或歪斜之处。

变频器驱动规范电机时，和工频电源比较，损耗将有所添加，低速耐冷却时效果变差，电机温升将添加。因此低速时应降低电机的负载力矩。电机高速运行时（60Hz以上）电动势平衡及轴承特性等改动。

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